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　　STGAP2SICSA 在栅极驱动通道和低压控制之间具有电气隔离，可在高达1700V (SO-8) 和 1200V (SO-8W) 的电压工作。其小于45ns 的输入到输出传播时间可确保高PWM 精度，并凭借±100V/ns的共模瞬态抗扰度(CMTI) 实现可靠的开关。内置保护包括欠压锁定(UVLO)，防止SiC电源开关在低效率或不安全条件下运行，以及热关断，如果检测到结温过高，则将两个驱动器输出调低。
yazaki连接器官网　　RDSon是SiC MOSFET的一个关键性能参数，因为它会影响传导功率损耗。然而，许多制造商只关注标称值，而忽略了一个事实，即随着设备工作温度的升高，RDSon相比室温下的标称值可能会增加100%以上，从而造成相当大的传导损耗。
藉由搭载低功耗双存取同步动态随机存取内存 （LPDDR）及奇景开发的动态随机存取内存控制器（DRAM Controller），其功耗在工作模式下小于300毫瓦（mW），睡眠模式下小于2毫瓦（mW），使电子纸产品的充电周期显著延长。

　　调谐是通过改变磁场来实现的，磁场来自固定的 NdFeB 磁铁和 AlNiCo 磁铁的组合，AlNiCo 磁铁的剩磁是非挥发性的，可以通过缠绕在它们周围的线圈的电流脉冲进行调整。
　　该MPPS电源具有一系列优越的多功能特征，使其成为了当今军事领域的宝贵产品。它能够与多达 32 个单元并行配置，提供更高的功率输出或N+M冗余系统。MPPS具有内部控制系统，允许并联组同步启动和停止，使其可用作整体电源运行。该设备还具有战斗短路功能，使其能够在指定的温度范围之外继续运行。
yazaki连接器官网　　该模块的工厂校准温度补偿和嵌入式的32.768 kHz晶体谐振器，提供了-40°C至85°C范围内的±2.5 ppm精度（0°C至50°C范围内为±1.5 ppm；相当于±0.13秒/天），以及+85°C至+105°C范围内的±20 ppm精度。这种高精度时间管理功能，结合超低的时间保持电流（低至160纳安），极大地延长了电池寿命，并支持1.3V至5.5V的宽电压运行范围。
　　片上信号处理可根据磁场分量计算每个芯片的夹角，并将该值转换为模拟输出信号。用户可以通过对非易失性存储器进行编程来调整增益、偏移和参考位置等主要特性。
　　除可见光之外，许多领域需借助红外热成像技术来完成行业特定作业需求，如消防救援查找火源、夜间人员搜救及动物保护监测、能源巡检排查故障隐患等，禅思H30T自带热成像相机，能够帮助行业用户更加安全高效地确认目标。热成像相机分辨率为 1280 x 1024 ，比上一代提升了 4 倍[4]，同时支持 32 倍数码变焦。

　　为提高功率密度，该MOSFET 在4.5 V条件下导通电阻典型值降至18.5 mW，达到业内先进水平。比相同封装尺寸接近的竞品器件低16 %。SiZF4800LDT低导通电阻与栅极电荷乘积，即MOSFET功率转换应用重要优值系数（FOM）为 131mW*nC，导通电阻与栅极电荷乘积提高了高频开关应用的效率。
yazaki连接器官网　　Laird Connectivity的Sera NX040 UWB和BLE模块采用紧密集成的硬件和射频设计，针对电池供电应用进行了优化，以降低总BOM成本。Sera NX040模块结合了NXP Semiconductors出色的Trimension? SR040 UWB芯片组与Nordic Semiconductor的nRF52833片上系统 (SoC) 的处理和蓝牙LE功能，通过增加近场通信 (NFC) 和UWB功能，可提供超过基于RSSI的基本信标或测距BLE功能，进而提升定位及定向功能。
　　HL8545/8545G 是一款多功能四通道高边电源开关，集成功率 NMOSFET 和电荷泵。两个版本都配备了先进的保护功能，包括负载电流限制、负载短路或开路，过载时的功率限制以及可配置的锁断或者自动重启模式。这些高精度电流检测和全面的诊断功能可以帮助系统实现智能负载控制。
得益于双堆叠发射器技术和透明硅树脂封装，OSLON Black系列的SFH 4726AS实现小尺寸、高功率、高效率和优化的热管理，有效减小散热设计的压力；
　　 采用3.75×3.75mm的透明硅树脂封装，内置1mm2堆叠红外芯片，单颗光功率可达2W以上，为手持扫描仪这样小巧空间的应用提供更多光源设计空间。