hrs广濑

　　NXP Semiconductors FRDM-MCXN947与FRDM-MCXA153快速检索和数据操纵器 (FRDM) 开发板是低成本、可扩展的紧凑型开发平台，可使用MCUXpresso开发工具快速进行原型开发。FRDM-MCXN947搭载MCX N系列，适用于各种具有高集成度、片上加速器、智能外设和安全性的应用。FRDM-MCXA153搭载具有可扩展器件选项、低功耗和智能外设的MCX A系列。
hrs广濑采用高通QCS6490 CPU，提供64位程序支持。开发人员可以将Visual Studio更新到版本15.9或更高版本以实现Arm 64兼容性，从而简化现有项目的二进制编译。
推挽变压器驱动NSIP605x系列。该系列包括输出功率为1W的NSIP6051和输出功率为5W的NSIP6055。其中，NSIP6055提供两个版本：开关频率为160kHz的NSIP6055A，可用于对EMI要求更严格的系统应用；以及开关频率为420kHz的NSIP6055B，可用于对提高转换效率和缩小变压器尺寸有需求的系统应用。

　　推出的ITV2718尺寸为2.7 x 1.8mm，提供5安培、三端子保险丝。 这种创新设计可利用嵌入式保险丝和加热器元件组合快速做出反应，在过充或过热情况发生之前中断电池组的充电或放电电路。
推出新系列适合直流支撑应用的爱普科斯 (EPCOS) 电力电容器。新 系列元件的设计工作温度达+105°C；订购代码为 B25695E；额定直流电压范围为 700 V 至 1300 V（温度 ≥+85 °C 时，电压须降额使用）；ESR 范围为 1.0 mΩ 至 2.7 mΩ；+70 °C 时的电流能力高达 110 A，具体视型号而 定（温度更高时，电流须降额使用）。不过，该系列薄膜电容器可反复承受 15.8 kA 的峰值电流，并且在额定 电压和+75 °C 条件下具有长达 100,000 小时的预期寿命。
hrs广濑紧凑的外形对于用户需要在小体积内拥有大量通道的高通道密度应用很有价值。用户可以通过集成的网口操作仪器，也可以完全通过编程操作仪器，将仪器用作高速数字转换器。
　　该芯片的电路设计融合了霍尔元件、斩波处理电路、模数转换(ADC)模块以及通讯模块等精密电路。它不仅支持I2C和SPI两种主流的通讯协议，还提供三轴16位的数据输出，并具备宽广的灵敏度编程范围，满足各种复杂环境下的高精度检测需求。
　　ActiveProtect内置增量备份功能，并支持跨站点的源端全局数据重删技术，从根本上为企业减少备份和复制数据时所需要的带宽。相比传统备份方式，ActiveProtect备份速度提升高达7倍，重复数据删除比例可以达到2:1，这也是ActiveProtect为企业实现降本增效的核心利器。

　　同样，MGJ2B和MGJ1 SIP系列直流-直流转换器也非常适合桥式电路中的IGBT/SiC和MOSFET栅极驱动，MGJ1 SIP还支持+12V、+8V和+6V/-3V的GaN电压。这两个系列具有高隔离和2.4kV的连续非安全额定值。UL62368具有 300Vrms的增强绝缘，能够满足在CMTI大于200kV/?s的电机驱动器和逆变器中使用的桥式电路中常见的dv/dt要求。
hrs广濑此前，三星 MX 部门主要在其高端平板电脑中使用高通的“骁龙”AP。例如，2022 年发布的 Galaxy Tab S8 搭载了骁龙 8 Gen 1，去年推出的 Galaxy Tab S9 搭载了骁龙 8 Gen 2。然而，联发科的重大技术进步促使其决定在 Tab S10 中使用 Dimensity 9300+ 代替骁龙 AP。
　　本工具搭载了AI功能，可以对多个组件探索参数的合理解决方案，通过详细计算，在实现电动车数字孪生化的同时，对各种电机、逆变器、电池、车体等如何组合能实现高效率进行多样化提案。为此，可以在开发初期，对电动车的整体特性进行商讨。
　　OCH1970VAD-H设计了虚通道可配置磁传感器架构，实时修调静态输出电压、带隙基准、灵敏度热敏偏移、内部偏置点、输出钳位电压等性能参数，为芯片灵活的失调消除和精度匹配奠定基础。