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　　该系列集成式电机驱动器器件可由高达29V（工作电压）和40V（瞬态电压）的单电源供电。内部3.3V低压差 （LDO）稳压器为dsPIC DSC 供电，因此无需外部LDO。基于dsPIC DSC 的集成电机驱动器工作频率在70-100 MHz之间，CPU性能高，可支持FOC和其他先进电机控制算法的高效部署。
molex代理商　　与上一代OptiMOS 3相比，OptiMOS6 200 V产品组合具有更加强大的技术特性，其RDS(on)降低了42%，有助于减少传导损耗和提高输出功率。在二极管性能方面，OptiMOS6 200 V的软度大幅提升至OptiMOS 3的三倍多，且 Qrr(typ)降低了 89%，使开关和 EMI 性能均得到明显改善。该技术还提升了寄生电容线性度（Coss 和 Crss），减少了开关期间的振荡并降低了电压过冲。更紧密的 VGS(th) 分布和低跨导特性有助于MOSFET并联和电流共享，使温度变得更加均匀且减少了并联MOSFET的数量。
　　此外，HatDrive AI是另一款引人注目的新配件。它在类似HatDrive Dual的布局下，为机器学习和人工智能工作负载提供了优化。其主板的第二个M.2插槽支持Google Cora Edge TPU加速器板，这使得设备在处理复杂的机器学习任务时，能够实现高速存储和改进的性能。

此外，为适应更多工业场景的应用，FCS945R新增子型号，支持-40°C ~+85°C的工作温度，进一步拓宽了模组的应用场景。
　Pasternack 新型连续可变衰减器的额定功率分别为5W和10W，工作频率可达18 GHz，衰减水平高达50 dB。
　　新型可变移相器的频率可达2 GHz、4 GHz和8 GHz，额定功率为 100W。这些可变移相器的可调相位有60°/GHz、90°/GHz和180°/GHz。
molex代理商　　TSZ151的工作电压为 1.8V，可以与低压微控制器等系统中的其他 IC共用电源轨。轨到轨输入和输出有助于限度地提高动态范围。该运算放大器还具有非常低的功耗，在 5V 电压下仅消耗 210μA，而低电源电压特性可以延长电池的续航时间。
　　凭借LPDDR5X DRAM的封装技术，三星提供了其业内薄，采用四层堆叠结构[1]的12纳米级LPDDR DRAM。与上一代产品相比，厚度降低约9%，耐热性能提升约21.2%。
　　日前发布的双通道MOSFET可用来取代两个PowerPAK 1212封装分立器件，节省50%基板空间。器件为设计人员提供节省空间的解决方案，用于同步降压转换器、负载点（POL）转换器、DC/DC转换器半桥和全桥功率级，适用领域包括无线电基站、工业电机驱动、焊接设备和电动工具。这些应用中，SiZF4800LDT高低边MOSFET提供50%占空比优化组合，同时4.5 V下逻辑电平导通简化电路驱动。

作为一款多网络制式的智能模组，SC200P系列支持 LTE Cat 4，下行速率可达150 Mbps，另还可实现2.4 & 5 GHz双频Wi-Fi及蓝牙短距离无线通信的全面覆盖，增强终端连接性能和灵活度，满足不同行业终端应用对高性能网络的需求。此外，其还支持 MIMO（多输入多输出技术），在接收端可以使用多个接收天线，使信号通过接收端的多个天线进行接收，从而增加速度、降低误码率、改善通信质量。
molex代理商　　Reno12 系列以 AI 能力重构手机功能的方方面面，能提供更加便捷、省心的 AI 服务，可使学习等多种生活场景中复杂、费力的工作在顷刻间完成。Reno12 系列中的 AI 通话摘要功能，可在通话结束后自动生成包含待办事件、时间、地点的通话摘要。AI 录音摘要可一键智能生成结构化摘要，重点内容一目了然，为高效学习提供助力。
近日宣布，推出数据中心 SSD 产品美光 9550 NVMe SSD，性能业界领先，同时具备卓越的 AI 工作负载性能及能效。[1] 美光 9550 SSD 集成了自有的控制器、NAND、DRAM 和固件，彰显了美光深厚的知识和创新能力。该款集成解决方案为数据中心运营商带来了业界领先的性能、能效和安全性。
Espressif Systems ESP32-H2-MINI-1x模组采用ESP32-H2片上系统 (SoC)，该芯片搭载32位RISC-V单核CPU，工作频率高达96MHz，同时具有低功耗智能协处理器，可持续监测外设以提高能效。ESP32-H2集成了多种协议（I2C、I2S、SPI、UART、ADC、LED PWM、ETM、GDMA、PCNT、PARLIO、RMT、TWAI、MCPWM、USB串口/JTAG）、温度传感器、通用定时器、系统定时器和看门狗定时器，以及多达19个GPIO。