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　　深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日宣布推出SCALE-iFlexXLT系列双通道即插即用型门极驱动器，适配单个LV100（三菱）、XHPTM 2（英飞凌）、HPnC（富士电机）以及耐压高达2300V的同等半导体功率模块，该模块适用于储能系统以及风电和光伏可再生能源应用。
泰科继电器官网　　MAX32690的蓝牙5.2低功耗 (LE) 射频支持Mesh、长距离（编码）和高吞吐量等多种模式。该器件的RISC-V内核可处理时序关键型控制器任务，让程序员无需担心BLE中断延迟问题。此外，单独提供使用软件编解码器的LE音频硬件。
　　凭借客户可配置的 PWM 或 SENT 输出，HAL/HAR 3936 能够提供灵活性，以适应各种应用场景需求。在 SENT 模式下，传感器遵循 SAE/J2716 Rev.4 标准，具备可配置的参数，如时间指示和帧格式。此外，该传感器具有两种功能模式，即应用模式和低功率模式，可通过输入信号进行选择，从而能够根据操作要求优化功耗。

　　SYNIOSP1515 LED侧发光模式的实现得益于艾迈斯欧司朗专有光学封装技术。艾迈斯欧司朗侧发光LED已广泛用于高性能汽车的背光显示。
　　2 Mb和4 Mb串行SRAM 器件解决了串行SRAM常见的缺点——并行比串行存储器快，通过可选的四通道SPI（每个时钟周期 4 位），将总线速度提高到143 MHz，大大缩小了串行和并行解决方案之间的速度差距。
泰科继电器官网首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封装的第四代600 V E系列功率MOSFET—SiHR080N60E，为通信、工业和计算应用提供高效的高功率密度解决方案。与前代器件相比，Vishay Siliconix n沟道SiHR080N60E导通电阻降低27 %，导通电阻与栅极电荷乘积，即600 V MOSFET在功率转换应用中的重要优值系数（FOM）下降60 %，额定电流高于D2PAK封装器件，同时减小占位面积。
　　为解决这一问题，ROHM成功开发出一款新型热敏打印头——KR2002-Q06N5AA。这款打印头兼容单节锂离子电池（3.6V）驱动，不仅实现了高性能打印，还节能约30%。
　　SMART RDIMM 内存模块采用Conformal Coating表面涂层技术，为浸没式液冷伺服器的内存模块提供强化保护，大幅提升数据中心应用的可靠性并降低成本。

　　AIR-150 配备了 Hailo-8 AI 加速模块，可提供 26 TOPS 的计算能力。与英伟达（NVIDIA）Jetson Orin Nano 和 Xavier NX 相比，AIR-150 的 AI 能力更强，可为 AI 推理带来更高的吞吐量和更低的延迟。
泰科继电器官网　　RNC技术的使用有助于提升驾乘体验，降低驾乘人员由噪声导致的疲劳感，提升汽车安全驾驶，并有助于减少隔音材料的使用，助力汽车轻量化，增加续航里程，环保节能。
在 AI 的训练、调优及推理阶段，采用先进的内存技术，并同时确保高性能和高效率，对于支持不断增长的 AI 工作负载至关重要。我们致力于提供性能、低功耗的解决方案，并计划通过与美光的合作，在我们的 AI 产品组合中全面采用单块高密度 DRAM，帮助企业客户获得性能，应对各种工作负载。
　　UNISOC 7861 OS当前支持小内存优化（1GB+8GB）的Android 12系统和Android 14系统并将持续演进，其高性能特性不仅满足当前市场需求，更预留空间以适应未来技术迭代。UNISOC 7861不仅是智能POS的新一代平台选择，还适用于智慧零售、移动手持场景等，做到端侧一体化解决方案。