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　　该款全新的交叉开关符合汽车规格* – 符合 AEC-Q100 2 级标准，可在-40°C 至 +105°C 的环境下使用，由通过 IATF 16949 的设施制造，并支持 PPAP 。PI3USB31532Q 供应数量以 3,500 个为单位。
jst接口　　消费电子和工业应用领域正呈现出便携化、电气化、轻量化等多样化的发展趋势。而这些趋势都需要紧凑高效的设计，同时还需采用非常规 PCB设计，此类设计面临严格的空间限制，从而限制了外部元件的使用。为应对这些挑战，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出CoolGaN? Drive产品系列，进一步丰富了其氮化镓（GaN）产品组合。
全球功率系统和物联网领域的半导体英飞凌近日推出业界首款抗辐射（rad hard）1 Mb和2 Mb并行接口铁电RAM（F-RAM）非易失性存储器。这款存储器是英飞凌丰富存储器产品组合中的新成员，其特点是具有出色的可靠性和耐用性，在85摄氏度条件下的数据保存期长达 120 年，并且能以总线速度进行随机存取和全存储器写入。

MCX A系列可提供对系统性能至关重要的功能，其创新型电源架构能够高效利用I/O并节省功耗，供电电路简单，占板面积小。
　　此外，DRM1000 将获得欧盟无线电设备指令的预。这种紧凑型低功耗接收器解决方案的尺寸仅为 42mm x 25.4mm x 5mm，可以轻松集成到外形尺寸的无线电设备中，特别适合便携式、电池或“可再生”供电设备。
jst接口美光 128GB DDR5 RDIMM 内存是首款基于 32Gb 单块 DRAM 芯片的大容量 DIMM 产品，已完成第四代和第五代英特尔? 至强? 处理器平台上的内存兼容性。该款基于 32Gb 单块 DRAM 芯片的 DDR5 内存模组可加速关键服务器和 AI 系统配置，为基于英特尔? 至强? 处理器的系统带来关键的性能、容量和至关重要的能效优势。我们很高兴继续与美光合作，推动创新产品在市场上的广泛应用，解决 AI 和服务器客户面临的内存容量和能耗瓶颈问题。
达到PMBusTM 标准的主动监测功能可以提高系统可靠性。严重过流（SOC）时，可编程栅极关断功能可在1 ?s内实现稳健的关断操作。先进的闭环SOA控制确保了更高的MOSFET可靠性，全数字工作模式更大程度地减少了对外部半导体元件的需求，提供了一个紧凑的解决方案，使其成为空间受限设计的上佳选择，具有极高的成本效益。
　　英飞凌抗辐射F-RAM存储器的目标应用包括传感器与仪器的数据存储、校准数据的数据记录、适用于数据加密的安全密钥存储，以及启动代码存储等。除外太空应用，这款存储器还适用于航空电子等应用的温度要求（-55°C 至 125°C）。

　　新元件的主要性能特点包括：高纹波电流能力，可达7.01 A（120 Hz, +60 °C），在工作温度+105 °C条件下具有≥2000小时的使用寿命。客户可利用基于Web的AlCap工具快捷计算元件在特定应用条件下的使用寿命。
jst接口　　Bumblebee X提供综合实时立体视觉解决方案的基本需求。客户可以使用宽基线解决方案测试和部署深度传感系统，工作范围可达20米。低延迟使其成为实时应用的理想选择，例如自主移动机器人、自动引导车辆、拾取和放置、箱子拾取和托盘化。
　　HL8518芯片内部集成了功率FET，可以控制并限制流经其内部功率管的电流，电流限制阈值可以采用一个从ILIM引脚到地的外部电阻器来设置。内部电荷泵有助于实现高效的栅极控制，该芯片典型Rds(on)值为80mΩ。
　　MicroSpace高压连接器专为抵御极端恶劣的使用环境和条件而研发，具有可靠性且经久耐用。该系列连接器具有高达4N的抗震法向力和超过75N的锁紧力，可以在具有高水平抗震要求的应用场景中发挥出色性能，确保在极具挑战性的使用环境中实现不间断连接。