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　　第三代650V快速碳化硅MOSFET凭借坚固、热性能强的TOLL封装，为关键、高可靠性、高效率的应用带来功率密度
　　纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日宣布为其的第三代快速碳化硅（G3F）MOSFETs产品组合新增一款坚固耐用的热性能增强型高速表贴TOLL封装产品，能为大功率、可靠性要求高的应用带来高效、稳定的功率转换。
delphi德尔福官网　　MPU 并不是所有应用程序所必需的，尤其是那些需要更快响应时间或小型嵌入式处理器的应用程序。然而，MPU 提供了一种中间层计算选项，能够在无需传统计算机的能力下解决复杂问题。新唐的 MA35H0 系列就是这样一种有用的中间产品，它在嵌入式 MCU 和成熟的计算机之间发挥着重要作用。
　　LED符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素，采用8 mm卷带包装，ESD耐压高达2 kV，满足JESD22-A114-B要求，根据JEDEC Level 2a进行预处理，适合J-STD-020红外回流焊工艺和自动拾放贴片机加工。

　　Bourns推出第二代高间隙/爬电距离隔离电源变压器 HCT8xxxxEAL 系列。这些符合 AEC-Q200 标准的汽车级推挽高压隔离变压器提供高可靠性、紧凑型解决方案，可在工作电压高达 800 V 时提供加强绝缘，在工作电压高达 1000 V 时提供基本绝缘。通过提供单独的加强绝缘层来防护危险电压，HCT8xxxxEAL 系列说明设计师更好地实现安全性和可靠性目标，相比仅具备功能性绝缘的竞争性隔离变压器具有更大优势。
其采用第八代BiCS FLASHTM 3D闪存技术的2Tb四级单元 (QLC) 存储器已开始送样（1）。这款2Tb QLC存储器拥有业界容量（），将存储器容量提升到一个全新的水平，将推动包括人工智能在内的多个应用领域的增长。
delphi德尔福官网这些模块可提供完善的输入欠压、输出过流、过压和短路保护功能，并具有较高的 MTBF 值——根据 MILHBK-217-F，在 25°C 时长达 150 万小时。它们非常适合关注低成本和高功率密度，但对性能或可靠性要求较高的应用。典型应用包括智能楼宇/智能家居、数据通信/电信、能源系统、工业自动化以及测试和测量等。
　　MAX32690的蓝牙5.2低功耗 (LE) 射频支持Mesh、长距离（编码）和高吞吐量等多种模式。该器件的RISC-V内核可处理时序关键型控制器任务，让程序员无需担心BLE中断延迟问题。此外，单独提供使用软件编解码器的LE音频硬件。
该前端提供信号调理和频率控制功能，驱动发射端的高分辨率PWM信号发生器，采用4.1V到24V直流电源，还包含MOSFET栅极驱动器和USB充电D+/D-接口。此外，STWBC2-HP系统封装SiP可以与意法半导体的STSAFE-A110安全单元配套，提供Qi兼容设备验证功能。

禅思H30系列，它包含H30和H30T两款负载，H30集成了广角相机、变焦相机、激光测距仪和近红外补光四大模组，H30T在此基础上增加红外热成像模组，全面提升感知与成像能力，突破了昼夜视觉局限。H30系列搭载大疆行业飞行平台，能够轻松应用于公共安全、应急救援、能源电力等多个行业领域，是大疆行业目前集成度、性能强的多光旗舰负载。
delphi德尔福官网　　HL8545/8545G具有漏极和源极电压钳位，有助于在关断周期内释放继电器、螺线管、泵和电机等电感负载中的能量。电源 (EBAT) 和负载 (ELOAD) 的能量直接在高边电源开关上耗散，通常无需额外的外部电路。这种高效的功率耗散允许在各种负载上进行更广泛的应用。
　　纳微半导体发布的4.5kW高功率密度AI服务器电源参考设计，基于CRPS185外形尺寸，其采用了额定650V、40mΩ的GeneSiC G3F FETs，用于交错CCM TP PFC拓扑上。与LLC级的GaNSafe?氮化镓功率芯片一起，让这款电源实现了138 W/inch的功率密度和超过97%的峰值效率，轻松达到欧盟目前强制执行的“钛金+”效率标准。
推出全集成的单线圈无刷直流（BLDC）风扇驱动芯片MLX90418。这是一款率先采用无需代码的单线圈风扇驱动芯片，能够支持服务器特定功能，如断电制动和交流失电管理等。针对不断扩大的服务器市场，MLX90418提供了一种高效的单线圈解决方案，与现有的三相BLDC风扇相比，它显著降低物料清单（BOM）成本，可达25%。